Кошик
Київ, Харківське шосе 144Б, Київ, Україна
+380 (50) 973-83-70
TeraFlops - Комплектуючі для твого ПК
Кошик
SSD M.2 Накопичувач GOODRAM IRDM 256GB (IR-SSDPR-P34B-256-80), фото 1
SSD M.2 Накопичувач GOODRAM IRDM 256GB (IR-SSDPR-P34B-256-80), фото 2
SSD M.2 Накопичувач GOODRAM IRDM 256GB (IR-SSDPR-P34B-256-80), фото 3
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення

GOODRAM IRDM 256GB (IR-SSDPR-P34B-256-80) — швидкий і надійний M.2 SSD-накопичувач, створений для сучасних ігрових ПК, ноутбуків і робочих станцій. Він забезпечує високу швидкість передачі даних, стабільну роботу та тривалий термін служби завдяки комбінації якісної пам’яті 3D TLC NAND і контролера PCIe Gen3 x4 NVMe.

Призначення:

  • Оновлення ПК або ноутбука для швидшого завантаження системи та програм.
  • Ігрові збірки — скорочення часу завантаження рівнів та ігор.
  • Робота з великими файлами: фото, відео, CAD-проекти, бази даних.

Ключові переваги:

  • Форм-фактор M.2 2280 — компактний формат, сумісний із більшістю материнських плат і ноутбуків.
  • Інтерфейс PCIe Gen3 x4 NVMe 1.3 — у кілька разів швидший за звичайний SATA SSD.
  • Швидкість читання до 3000 МБ/с і запису до 1000 МБ/с — миттєвий відгук системи.
  • Контролер Phison E12 — забезпечує стабільну роботу під навантаженням.
  • 3D TLC NAND-пам’ять — збалансоване поєднання швидкості, надійності й ресурсу.
  • MTBF понад 2 млн годин — довговічність і впевненість у роботі.
  • Підтримка TRIM, S.M.A.R.T., NCQ — оптимальна продуктивність і самодіагностика.

Основні характеристики:

  • Об’єм: 256 ГБ
  • Інтерфейс: PCIe Gen3 x4 NVMe 1.3
  • Форм-фактор: M.2 2280
  • Тип пам’яті: 3D TLC NAND
  • Контролер: Phison E12
  • Швидкість читання: до 3000 МБ/с
  • Швидкість запису: до 1000 МБ/с
  • MTBF: 1 800 000 годин
  • Підтримка TRIM, S.M.A.R.T., NCQ

GOODRAM IRDM 256GB — швидкість, стабільність і якість, перевірені часом.

Основні
ВиробникGoodRAM
ВидВнутрішній
СтанНовий
Форм-факторМ. 2 2280
Швидкість запису1000 Мб/сек
Об'єм накопичувача256 GB
Тип дискаSSD
Користувальницькі характеристики
ІнтерфейсPCI-E 3.0
ЛінійкаIRDM
Ресурс запису (TBW), TB150
Середній час безвідмовної роботи (MTBF), млн. годин1.8
Стійкість до ударів1500 G
Тип флеш-пам'яті NAND3D TLC
Швидкість випадкового запису блоками 4KB, IOPS250000
Швидкість випадкового читання блоками 4KB, IOPS149000
Швидкість зчитування3000
  • Ціна: Ціну уточнюйте