Корзина
Київ, Киев, Украина
+380 (50) 973-83-70
TeraFlops - Комплектующие для твоего ПК
Корзина
SSD M.2 Накопитель GOODRAM IRDM 256GB (IR-SSDPR-P34B-256-80), фото 1
SSD M.2 Накопитель GOODRAM IRDM 256GB (IR-SSDPR-P34B-256-80), фото 2
SSD M.2 Накопитель GOODRAM IRDM 256GB (IR-SSDPR-P34B-256-80), фото 3
Описание
Характеристики
Информация для заказа

GOODRAM IRDM 256GB (IR-SSDPR-P34B-256-80) — быстрый и надежный M.2 SSD-накопитель, созданный для современных игровых ПК, ноутбуков и рабочих станций. Он обеспечивает высокую скорость передачи данных, стабильную работу и длительный срок службы благодаря комбинации качественной памяти 3D TLC NAND и контроллера PCIe Gen3 x4 NVMe.

Назначение:

  • Обновление ПК или ноутбука для более быстрой загрузки системы и программ.
  • Игровые сборки — сокращение времени загрузки уровней и игр.
  • Работа с большими файлами: фото, видео, CAD-проекты, базы данных.

Ключевые преимущества:

  • Форм-фактор M.2 2280 — компактный формат, совместимый с большинством материнских плат и ноутбуков.
  • Интерфейс PCIe Gen3 x4 NVMe 1.3 — в несколько раз быстрее обычного SATA SSD.
  • Скорость чтения до 3000 МБ/с и записи до 1000 МБ/с — мгновенный отклик системы.
  • Контролер Phison E12 - обеспечивает стабильную работу под нагрузкой.
  • 3D TLC NAND-пам’ять — сбалансированное сочетание скорости, надежности и ресурса.
  • MTBF более 2 млн часов — долговечность и уверенность в работе.
  • Поддержка TRIM, S.M.A.R.T., NCQ — оптимальная производительность и самодиагностика.

Основные характеристики:

  • Объем: 256 ГБ
  • Интерфейс: PCIe Gen3 x4 NVMe 1.3
  • Форм-фактор: M.2 2280
  • Тип памяти: 3D TLC NAND
  • Контролер: Phison E12
  • Скорость чтения: до 3000 МБ/с
  • Скорость записи: до 1000 МБ/с
  • MTBF: 1 800 000 годин
  • Поддержка TRIM, S.M.A.R.T., NCQ

GOODRAM IRDM 256GB — скорость, стабильность и качество, проверенные временем.

Основные
ПроизводительGoodRAM
ВидВнутренний
СостояниеНовое
Форм-факторМ.2 2280
Скорость записи1000 Мб/сек
Объем накопителя256 GB
Тип дискаSSD
Пользовательские характеристики
ИнтерфейсPCI-E 3.0
ЛинейкаIRDM
Ресурс запису (TBW), TB150
Середній час безвідмовної роботи (MTBF), млн. годин1.8
Стійкість до ударів1500 G
Тип флеш-пам'яті NAND3D TLC
Швидкість випадкового запису блоками 4KB, IOPS250000
Швидкість випадкового читання блоками 4KB, IOPS149000
Скорость считывания3000
  • Цена: Цену уточняйте